中华人民共和国年鉴简介
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我国第一款自主知识产权相变存储器芯片研制成功--中国年鉴
4月20日,研究人员[YanJiuRenYuan]在展示我国第一款具有自主知识产权的相变存储器[CunChuQi](PCRAM)芯片[XinPian]。我国第一款具有自主知识产权的相变存储器[CunChuQi](PCRAM)芯片[XinPian]研制成功,打破了存储器[CunChuQi]芯片[XinPian]生产技术长期被国外垄断的局面,产业化前景可观。据介绍,该款PCRAM试验芯片[XinPian]存储[CunChu]容量为8Mb,在8英寸硅片上的每一块存储[CunChu]芯片[XinPian],存储[CunChu]单元成品率达99%以上。截至2010年底,该款PCRAM相变存储器[CunChuQi]已经获得50多项发明专利授权,150多项专利公开,相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片[XinPian]生产全部流程。新华社[XinHuaShe]记者[JiZhe] 刘颖 摄
4月20日,在中国科学院上海微系统与信息技术研究所,研究人员[YanJiuRenYuan]在相变存储器[CunChuQi]芯片[XinPian]进行语音功能演示。新华社[XinHuaShe]记者[JiZhe] 刘颖 摄
4月20日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、PCRAM研究项目负责人宋志棠(左)与研究人员[YanJiuRenYuan]在实验室内工作。新华社[XinHuaShe]记者[JiZhe] 刘颖 摄