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我国第一款自主知识产权相变存储器芯片研制成功--国家年鉴
新华社上海4月17日电(沈从乐、罗争光)记者17日从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉,我国第一款具有自主知识产权的相变存储器[CunChuQi](PCRAM)芯片[XinPian]研制成功,打破了存储器[CunChuQi]芯片[XinPian]生产技术长期被国外垄断的局面,产业化前景可观。
据专家介绍,相比于传统存储器[CunChuQi]利用电荷形式进行存储,相变存储器[CunChuQi]主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储,被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器[CunChuQi]。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、PCRAM研究项目负责人宋志棠表示,PCRAM相变存储器[CunChuQi]不仅综合了目前半导体存储器[CunChuQi]市场上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储器[CunChuQi]的优良特性,而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势,被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。
目前,英特尔、美光、三星等国际知名半导体公司均在PCRAM产业化进程中取得有效进展,其中美光有多款替代NOR FLASH的产品,三星已研制出最大容量为512Mb的PCRAM试验芯片[XinPian],并投入量产,在手机存储卡中开始应用。
上海微系统与信息技术研究所已制成的PCRAM试验芯片[XinPian]存储容量为8Mb,在8英寸硅片上的每一块存储芯片[XinPian],存储单元成品率达99%以上。经语音演示,已证实该芯片[XinPian]可实现读、写、擦的存储器[CunChuQi]全部功能。截至2010年底,该款PCRAM相变存储器[CunChuQi]已经获得50多项发明专利授权,150多项专利公开,相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片[XinPian]生产全部流程。专家表示,此款PCRAM芯片[XinPian]将可取代NOR FLASH等传统存储器[CunChuQi],广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。
宋志棠介绍说,我国半导体存储器[CunChuQi]市场规模目前已接近1800亿元,但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术,国内存储器[CunChuQi]生产成本极为高昂。“PCRAM相变存储器[CunChuQi]自主研制成功,使我国的存储器[CunChuQi]芯片[XinPian]生产真正摆脱国外的技术垄断。”他表示,该款PCRAM相变存储器[CunChuQi]预计将于今年年内投入量产,“我们计划在10年内,将中国的存储器[CunChuQi]自给率提高到60%。”