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英特尔与美光新加坡合资NAND闪存厂投产--中国年鉴网
腾讯科技讯（清雨）北京时间4月21日消息，据国外媒体报道，英特尔[YingTeEr]官员日前表示，英特尔[YingTeEr]和美光联手在新加坡投资30亿美元兴建的NAND闪存厂周四开始投产。
之前由于爆发全球性金融危机，加上内存产品价格低迷，英特尔[YingTeEr]和美光刚开始就推迟了兴建这座工厂[GongChang]的计划，不过双方于2010年又把这项计划重新提上日程。双方表示，由于进展顺利，工厂[GongChang]提前完工。英特尔[YingTeEr]非易失性存储解决方案集团副总裁托马斯·兰波尼（Thomas Rampone）称这座工厂[GongChang]刚开始每月可生产数千块晶片，明后两年每月可生产2.5万块晶圆。每块晶圆包含有许多闪存芯片。
目前，美光和英特尔[YingTeEr]在美国拥有2家合资厂。随着市场对芯片产品需求的不断扩大，双方再度联手新建了这座工厂[GongChang]，面向移动设备制造商销售产品。
英特尔[YingTeEr]和美光表示，工厂[GongChang]刚开始将采用25纳米生产流程，年底前将采用20纳米生产流程。英特尔[YingTeEr]和美光之所以选择在新加坡建厂，主要是为了吸引更多人才，接近供应链。