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英特尔采用3D晶体管技术开发新凌动芯片架构--中国年鉴网
CNET科技资讯网 5月16日 国际报道 英特尔正在开发一款采用[CaiYong]3D晶体管技术的凌动芯片[XinPian]架构。英特尔在加速节能芯片[XinPian]的开发进程，以进入智能手机和平板电脑芯片[XinPian]市场。
消息人士透露，代号为Silvermont的新款凌动芯片[XinPian]将于2013年发售。采用[CaiYong]3D晶体管技术的Silvermont在整合度、性能和效能比方面将达到一个全新的水平。
与未来所有的凌动芯片[XinPian]一样，Silvermont也采用[CaiYong]片上系统设计。凌动芯片[XinPian]的发展速度快于摩尔定律。目前的凌动芯片[XinPian]采用[CaiYong]45纳米工艺，今年晚些时候将升级到32纳米。
上述消息人士称，尽管细节还不清楚，Silvermont旨在利用22纳米工艺和3D晶体管技术。预计英特尔将在本周的分析师会议上披露更多的凌动片上系统开发计划。